专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种GMI和GMR相结合的磁敏传感器件-CN201210518181.8无效
  • 宋远强;周维为;向勇;张博;刘爱芳;严鹏飞 - 电子科技大学
  • 2012-12-06 - 2013-04-03 - G01R33/09
  • 一种GMI和GMR相结合的磁敏传感器件,属于磁传感器技术领域。包括位于同一衬底基片上的GMI结构单元和GMR结构单元,GMI结构单元和GMR结构单元之间采用金属连接电极实现串联。本发明在确凿的理论分析和实验验证的基础上,将GMR磁敏传感器的工作模式由直流驱动变为交流驱动,同时兼顾GMI磁敏传感器和GMR磁敏传感器的灵敏度选择合适的驱动频率。本发明提供的GMI和GMR相结合的磁敏传感器件,采用同一低频交流驱动信号,在弱磁场和强磁场下分别通过GMI结构单元和GMR结构单元实现对磁场的测量。克服了现有GMI磁敏传感器和GMR磁敏传感器固有的缺点,能够实现0~2000Gauss全量程范围的高精度测量。
  • 一种gmigmr相结合传感器件
  • [实用新型]GMI传感器灵敏度改进结构-CN201921505505.8有效
  • 赵振杰;张清;王健康;孙凌虹 - 昆山航磁微电子科技有限公司
  • 2019-09-11 - 2020-05-15 - G01R33/09
  • 本实用新型公开了一种GMI传感器灵敏度改进结构,包括GMI敏感材料和驱动电源;所述GMI敏感材料包括第一导电层、第一绝缘层、GMI敏感层、第二绝缘层、第二导电层和第三绝缘层;所述第一导电层与所述第二导电层之间施加有电信号提供层间电场,所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第二导电层在层间电场的作用下形成层间电容;所述驱动电源的正负极连接GMI敏感层的两端。本实用新型提供了一种GMI传感器灵敏度改进结构,GMI敏感材料为复合结构,在该复合结构中施加层间电场使其产生层间电容,该层间电容在传感器交流工作时起到存储部分能量和抗突变干扰的作用,从而可以改善器件的稳定性能和灵敏度
  • gmi传感器灵敏度改进结构
  • [实用新型]带激励信号的铁磁体检测电路及装置-CN202021026204.X有效
  • 李斌;林良波;吴文斌 - 珠海威瑞医疗科技有限公司
  • 2020-06-05 - 2021-02-19 - G01V3/08
  • 本实用新型公开了一种带激励信号的铁磁体检测电路及装置,包括处理器;GMI传感器接口,连接有信号转换电路,并通过所述信号转换电路与所述处理器连接;激励信号接口,与所述处理器连接,所述激励信号接口用于给所述处理器传输激励信号,所述处理器根据所述激励信号使能所述GMI传感器接口;报警单元,与所述处理器连接。在常规状态下,处理器禁用GMI传感器接口,当激励信号接口给处理器发送激励信号时,处理器根据激励信号使能GMI传感器接口,可以有效防止因强磁场而导致的误报警。
  • 激励信号磁体检测电路装置
  • [发明专利]一种GMI吸波泡沫及其制备方法-CN202211221125.8在审
  • 程海洋;方文勇 - 成都雷隐科技有限公司
  • 2022-10-08 - 2022-12-02 - C08F220/06
  • 本发明公开了一种GMI吸波泡沫及其制备方法,以重量份计,所述GMI泡沫材料的配方包括MAA:55.6phr,AN:44.4phr,ABVN:0.4phr,尿素:0phr‑1phr,甲酰胺:1phr‑4phr本发明中,通过选用ABVN作为引发剂,可制备出均匀半透明的MAA/AN共聚物树脂板,从而得到泡孔均匀的GMI泡沫,并且大大缩短了反应周期,提高了GMI泡沫制备效率,通过选用1phr尿素和4phr甲酰胺的混合发泡剂时,拉伸和压缩强度均可达到标准,具有优良性能,通过设置转子和电磁搅拌机,能提高反应效率,加速聚合反应,减少等待时间,同时搅拌更为均匀,后期制得GMI泡沫材料的密度更为均匀,通过取出反应液倒入玻璃模具中,在玻璃模具完成聚合
  • 一种gmi泡沫及其制备方法
  • [发明专利]一种超高精度GMI超导复合磁强计优化方法-CN202011227072.1有效
  • 王三胜 - 北京航空航天大学
  • 2020-11-06 - 2022-11-04 - G06F30/20
  • 本发明公开一种超高精度GMI超导复合磁强计优化方法,包括六个优化研究步骤,实现了GMI多层膜敏感材料体系组成结构、退火后处理的影响和YBCO超导磁通变换器的材料制备、加工、后处理的影响以及两者之间的耦合机制和影响的研究优化;本发明对于超导磁通变换器和GMI多层膜敏感结构进行设计和优化,并提出采用三明治结构或者多层薄膜制备高灵敏GMI部件,且无需精确的参数控制和结构设计,结构简单易生产,同时提出采用自制的大面积高性能高温超导薄膜制作磁通变换器
  • 一种超高精度gmi超导复合磁强计优化方法

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